高効率の小電力から大電力アプリケーション向けに新しい高耐圧MOSFETを発表

2017年3月28日、ミュンヘン（ドイツ）

独インフィニオン テクノロジーズは、従来のCoolMOS™テクノロジーのポートフォリオから、新しく 600 V CoolMOS™ P7と600 V CoolMOS™ C7 Gold（G7）シリーズを拡充しました。これらの製品ファミリーは600 Vのブレークダウン電圧にて動作するよう設計され、スーパージャンクションMOSFETの性能をさらに高めます。それぞれがターゲットとするアプリケーションにおいて他に例を見ない電力密度を達成します。

600 V CoolMOS P7 ：高効率と使いやすさが理想的な形で組み合わされる

新しく登場したP7は、開発、設計工程での非常に優れた使いやすさと、ベンチマークとなる効率を最適な価格性能比と共に提供します。このデバイスは充電器、アダプター、照明、TV、PC用電源、太陽光発電、サーバー、通信、および電気自動車の充電などのアプリケーションをターゲットとし、100 Wから15 kWまでの電力クラスに対応します。600 V CoolMOS P7はさまざまなトポロジーにおいて効率を最大1.5%高め、また競合製品の熱特性と比較して最大4.2℃優れています。

表面実装（SMD）とスルーホール実装の両方において37 mΩから600 mΩまでの広いRDS(on)範囲を持つ600 V CoolMOS P7は、幅広いアプリケーションと電圧範囲に適しています。また2 kV（HBM）の優れたESD耐性は、製造時の静電気からこのデバイスを保護し、製造品質をさらに高めました。LLC回路内でハードコミュテーションイベントが発生した際にも、頑丈なボディダイオードがこのデバイスを保護します。

600 V CoolMOS C7 Gold ：革新的な SMD TO-Leadless パッケージによるクラス最高の FOM

G7はより低いRDS(on)を持ち、ゲートチャージQgを最小限に抑え、出力静電容量（Coss）に保存されるエネルギーを減らし、またTO-Leadlessパッケージによりケルビンソースにも対応します。これによりPFCまたはLLC回路において損失が最小限に抑えられ、パフォーマンスを0.6%高め、PFC回路での全負荷効率を改善しました。1 nHの低い寄生ソースインダクタンスも、効率の改善に貢献しています。

TO-Leadlessパッケージでは熱特性の改善によってさらに大きな電流を使う設計が可能になり、SMDテクノロジーはマウント工程のコストを引き下げます。さらに600 V CoolMOS C7 GoldのRDS(on)は、28 mΩから150 mΩまでクラス最高の低オン抵抗の製品を提供します。従来のD2PAKと比較し、このTOLLパッケージでは基板占有面積で30%、高さが50%、および体積では60%削減されています。これらの特徴が組み合わさることにより、サーバー、通信、産業、および太陽光発電アプリケーションにおいて最大限の効率を達成し、またベンチマークとなる電力密度を実現するための完璧な選択肢となっています。

提供予定

600 V CoolMOS P7と600 V CoolMOS C7 Goldのいずれのシリーズも量産出荷中です。詳細については www.infineon.com/600v-p7と www.infineon.com/c7-gold-tollをご覧ください。

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