带反并联二极管的IGBT中的二极管设计思考

2006-6-5 | 市场新闻

带反并联二极管的IGBT中的二极管设计思考

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用于嵌入式功率系统的先进的100V MOSFET器件

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用ICB1FL02G设计高功率节能灯(Energy Saving Lamp)

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600V IGBT技术全新基准:英飞凌TrenchStop™

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英飛凌推出領先業界的一系列100V MOSFET

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0605