英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关

英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关

2008年2月4日，德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE: IFX）今日宣布，该公司正在批量供应全球第一款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关，这 种射频开关具有与采用砷化镓（GaAs）工艺制成的射频开关相同的性能——这是一项前所未有的技术突破。迄今为止，CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝石晶片制作才能达到砷化镓开关的性能。

全新产品系列中的第一款CMOS射频开关BGS12A采用微小间距晶圆级封装（WLP），其尺寸仅为0.79mm x 0.54mm，与市场上最小的GaAs射频开关相比，其印刷电路板（PCB）空 间减少了60%左右。在包括手机、WLAN、WiMAX、GPS导航、蓝牙附件或遥控无钥匙进入系统在内的许多无线产品中，射频开关一般被用于实现收发数据、频段选择或天线多样性应用的切换，并且支持全球漫游。平 均来说，每个移动设备一般需要配备一个射频开关。但是，一些高端多频手机需要配备多达四个射频开关。

“英飞凌的CMOS射频开关采用小型芯片级封装，无需更多额外组件（比如电平转换器），从而为电路板设计节省了更多空间，”英飞凌科技股份公司硅组件高级主管Michael Mauer表示，“ 随着现代多模式移动设备复杂度的不断增加，预计射频开关将在未来五年内取代今天的PIN二极管。”

据位于波士顿的美国市场调查机构Strategy Analytics的调查显示，2006年，射频开关全球市场规模约为20亿片，预计到2011年市场规模将翻番达到约40亿片。

英飞凌的新型射频开关采用独一无二的射频CMOS工艺制成，它将CMOS工艺的益处和杰出的射频性能结合起来，比如低插入损耗、低谐波失真、良好的绝缘性和高功率电平等特性。固 有的CMOS优势包括高度集成能力、成本效益和优异的静电放电（ESD）耐受性。与现有的解决方案相比，CMOS射频开关具有最高的集成能力；比GaAs器件成本更低；由于电流损耗被大大减少，它 比PIN二极管具有更长的电池使用时间。所有英飞凌射频开关都无需外部直流（DC）阻隔电容并且集成了全部控制逻辑。CMOS兼容逻辑电平（1.4 V-2.8 V）消除了对外部电平转换器的需要。

关于BGS12A的更多信息
BGS12A是英飞凌新型CMOS射频开关系列的第一款产品。它是一款通用型单刀双掷（SPDT）开关，可用于功率电平达20dBm（P-1dB高于30dBm）的应用。新 型射频开关具有卓越射频性能，频率为1.0GHz时的插入损耗仅为0.3dB，而且还具有低谐波失真，良好的绝缘性（34dB，1.0GHz）以及小于4µs的快速开关时间。该开关的接口可以耐受1.5kV HBM（人体模型）静电放电（ESD），这可以提高制造商的移动设备产量并且获得需要的ESD水平。BGS12A是频率达3GHz的中低功率应用的理想选择。

定价和供货
BGS12A现已批量供应。购买1,000片的单价为0.70美元。
英飞凌将推出新型射频开关系列的其他产品，这些开关产品将采用其他封装类型，包括16管脚小型无引线封装（TSLP），38dBm的更高功率电平以及适用于多种无线产品的最多9个收发端口。其 他产品的批量生产预计将于2008年下半年开始。

关于英飞凌的CMOS射频开关的更多信息，请登录 www.infineon.com/RFswitches 或者参观我们设在全球移动大会（2008年2月12-14日，西班牙巴塞罗纳）第 1展厅的B15展位。