英飞凌推出可提高开关速度的第六代650 V CoolSiC™肖特基二极管

德国慕尼黑讯—英飞凌科技股份公司推出第六代650 V CoolSiC™肖特基二极管，是CoolSiC二极管产品系列的最新成员。它立足于第五代产品与众不同的特性，能确保可靠性、质量并提高效率。CoolSiC G6二极管是对600 V和650 V CoolMOS™ 7产品系列的完美补充。它们面向当前和未来的 服务器和 PC电源、 电信设备电源和 光伏逆变器应用。

第六代650 V CoolSiC肖特基二极管采用全新布局以及全新专有肖特基金属系统，内部结构也与上代产品完全不同。其结果就是树立行业标杆V _F（1.25 V），以及比上一代产品低17%的Q _c x V _F 优质系数（FOM）。此外，新推出的第六代全新二极管充分发挥碳化硅的强大特性——独立于温度的开关性能和没有反向恢复电荷。

该器件的设计有助于在所有负载条件下提高效率，同时提高系统功率密度。因此， 第六代650 V CoolSiC肖特基二极管具备降低散热要求、提高系统可靠性和极快开关速度等诸多优势。新款器件是具备最佳性价比的新一代碳化硅二极管产品。

供货

第六代650 V CoolSiC肖特基二极管现已开始供货。了解更多信息敬请访问： www.infineon.com/coolsic-g6。