减少交通碳排放：大陆集团率先在48 V轻混系统中采用英飞凌及Schweizer联合开发的创新技术

2019-5-6 | 市场新闻

2019年5月6日，德国慕尼黑/施兰贝格讯 –– 英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术：芯片嵌入式功率MOSFET。它将显著提升48 V系统的性能，同时降低它们的复杂度。大陆集团动力总成事业群将是首家采用这项技术的企业。
 
Schweizer电子首席执行官Rolf Merte博士表示：“嵌入式功率MOSFET将为轻度混合动力汽车的电气系统开启新篇章。世界知名汽车供应商之一已选用我们的技术这一事实，足以证明它的潜力。”
 
通过芯片嵌入式工艺，功率MOSFET将不再焊接到电路板上，而是集成在电路板中。主管英飞凌汽车MOSFET业务的Frank Findeis博士表示：“由此带来的热性能效益有助于提高功率密度，而电路板集成则助力提升系统可靠性。这些优势又能帮助提高48 V系统的功率或成本效率。”
 
作为首家采用这项技术的企业，大陆集团动力总成事业群决定将这项新技术应用于欧洲一家大型汽车厂商所产汽车的48 V启停电机中。大陆集团动力总成事业群系统技术项目负责人Dietmar Vogt表示：“通过芯片嵌入式工艺，相比传统系统我们可将电功率提高60%。”
 
轻度混合动力汽车相比常规传动系之所以能将二氧化碳排放最多减少大约15%，48 V启停发电机功不可没。相比12 V启停系统，它们可让引擎更频繁、更长时间地停止工作。此外，它们还能改善汽车加速性能，从而减轻内燃机所承受的负荷。它们在制动时能够回收的动能比12 V系统更多。
 
英飞凌为这项新技术贡献了其先进的MOSFET技术OptiMOS™5，Schweizer则贡献了其嵌入式功率PCB技术——名为“Smart p² Pack®。双方计划到2021年开始量产。

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INFATV201905-068

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  • 通过芯片嵌入式工艺，功率MOSFET将不再焊接到电路板上，而是集成在电路板中。这大大提高了功率密度，并提升了系统可靠性。
    通过芯片嵌入式工艺，功率MOSFET将不再焊接到电路板上，而是集成在电路板中。这大大提高了功率密度，并提升了系统可靠性。
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