提升GaN SG HEMT性能： 英飞凌推出全新EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200 V单通道门极驱动器系列产品

【 2022 年 1 月 17 日 ， 德国慕尼黑讯】最大化减少研发和成本的投入，以及确保中压氮化镓（GaN）开关的稳健和高效运行，是现代电力电子系统设计的几个核心要求。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）依照其战略性设计GaN产品组合，不断加强全系统解决方案，推出EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V单通道门极驱动器IC系列产品。新的系列产品不仅提升了CoolGaN™肖特基栅（SG）HEMT的性能，同时也可兼容其他GaN HEMT和硅MOSFET。该门极驱动器系列产品可广泛应用于 DC-DC转换器、 电机驱动器、 电信、 服务器、 机器人、 无人机、 电动工具和 D类音频放大器等领域。

1EDN71x6G系列产品具有可选上拉和下拉驱动强度特性，无需栅极电阻即可实现波形和开关速度优化，因此可使功率级电路布局面积更小，BOM元器件数量更少。驱动能力最强和开关速度最快的的驱动器产品（1EDN7116G）适用于多并联的半桥组合电路。驱动能力最小和开关速度最慢的驱动产品（1EDN7146G）可用于需求dv/dt变化缓慢的应用，如电机驱动或小晶片GaN（高RDS(on)、低Qg）HEMTs。不仅如此，每款产品都有不同的消隐时间，并与最小建议死区时间、最小脉冲宽度和传播延迟成正比。

真差分逻辑输入（TDI）功能不仅可消除低边应用中由于接地反弹电压而造成的错误触发风险，还能让1EDN71x6G能够处理高边侧应用。此外，所有系列产品均采用有源米勒钳位技术，该技术有非常强的下拉功能，可以避免感应开启。这为抵抗栅极驱动器回路中的毛刺电压提供了更强的鲁棒性，尤其是在驱动具有高米勒比的晶体管时。

此外，1EDN71x6G提供有源自举钳位，以避免在死区时间时对自举电容过度充电。这实现了自举电源电压调节，无需额外的调节电路即可对高边侧晶体管的栅极形成保护。如有需要（如在无法完全优化PCB布局的情况下），该产品系列还可提供带有可调负关断电源的可编程电荷泵，以此取得额外的米勒感应导通抗扰度。

供货情况

用于CoolGaN SG HEMT的1EDN7116G、1EDN7126G、1EDN7136G和1EDN7146G四款EiceDRIVER HS 200 V单通道栅极驱动器IC，现在可在PG-VSON-10套装中订购。更多相关信息请访问 www.infineon.com/eicedriver-1edn71x6x。

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