英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务
【 2024 年 3 月 4 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和领先的质量，该功率半导体器件与威迈斯的车载充电器实现了高度适配。
威迈斯研发部门产品线总监兼首席工程师徐金柱表示：“我们十分高兴能为我们的下一代OBC选择英飞凌的CoolSiC Hybrid器件，从而实现更高的可靠性、稳定性、性能和功率密度。这深化了我们与英飞凌的合作关系，并通过紧密协作，推动技术应用创新，共同促进新能源汽车的蓬勃发展。”
英飞凌科技汽车高压芯片与分立器件产品线副总裁Robert Hermann表示：“我们很高兴凭借高效的混合产品加强与VMAX的合作。我们将一起继续推动电动汽车的发展，以高效率的解决方案满足业界对性能、质量和系统成本的要求。”
这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (R th)，使芯片尺寸变得更小，从而提高了功率开关能力。凭借这些特性，该产品实现了更出色的系统可靠性和使用寿命，满足了汽车行业的严格要求。为了最大程度地提升与现有设计的兼容性，该产品还采用了基于广泛使用的D²PAK封装的引脚对引脚兼容设计。
供货情况
采用TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和CoolSiC™ 肖特基二极管G5共同封装的 CoolSiC™混合分立器件现已上市。更多信息，敬请访问 www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/coolsic-hybrid-devices/hybrid-discretes/aikbe50n65rf5 。
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INFATV202402-058
