英飞凌对英诺赛科提出专利侵权诉讼
【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份有限公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）今天通过其子公司英飞凌奥地利科技股份有限公司（Infineon Technologies Austria AG）对英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、英诺赛科美国公司（Innoscience America, Inc）及其关联公司（以下简称：英诺赛科）提起诉讼。英飞凌正在就其侵犯英飞凌拥有的一项与氮化镓（GaN）技术有关的美国专利寻求永久禁令。该专利权利要求涉及氮化镓功率半导体的核心方面，包括提高英飞凌专有氮化镓器件可靠性和性能的创新技术。该诉讼是在加利福尼亚州北区地方法院提起的。
英飞凌指控英诺赛科生产、使用、销售、要约销售和/或向美国进口各种产品侵犯了英飞凌的上述专利，这些产品包括应用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子产品的氮化镓晶体管，以及在汽车、工业和商业应用中使用的相关产品。
英飞凌电源与传感系统事业部总裁Adam White表示："氮化镓功率晶体管的生产需要全新的半导体设计和工艺。英飞凌拥有近二十年在氮化镓领域的经验，能够保证最终产品达到其最高性能所需的卓越品质。我们积极保护我们的知识产权，从而符合所有客户和最终用户的利益。" 数十年来，英飞凌一直致力于氮化镓技术的研发、产品开发和制造技术的投资。英飞凌将继续捍卫其知识产权并保护其投资。
2023 年 10 月 24 日，英飞凌宣布完成对 GaN Systems Inc. (氮化镓系统公司)的收购。英飞凌拥有超过350个氮化镓技术专利家族，进一步扩大了英飞凌在功率半导体领域的领先优势。市场分析师预计，到 2028 年，用于功率应用的氮化镓收入将以年均 49% 的速度增长，达到约 20 亿美元（资料来源：Yole，Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023）。氮化镓是一种宽禁带半导体，具有卓越的开关性能，可实现更小尺寸、更高效率和更低成本的电源系统。
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