BFR840L3RHESD BOARD
综述
BFR840L3RHESD 是专为 5 GHz LNA 应用设计的异质结双极晶体管。订购评估板时，请参考 应用说明 或技术报告。
特征描述
• 可靠的超低噪声放大器，基于英飞凌可靠的大容量 SiGe:C 双极技术
• 高端射频性能和稳健性的独特组合：最大 20 dBm 射频输入功率，1.5 kV HBM 静电放电硬性
• 极高的转换频率 fT = 75 GHz，能够在高频下实现业内最佳噪声性能：
NFmin = 0.65 dB（在 5.5 Ghz）在 12GHz、1.8 V、5 mA，达到 1.1 dB
• 在 5.5 GHz、1.8 V、10 mA，高增益 |S21|2 = 19 dB
• 低电压应用的理想之选，例如 VCC = 1.2 V 和 1.8 V (2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应集电极电阻的场合)
• 低功率，移动应用的理想之选
• 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤，极小的纤薄无引线封装（封装高度 0.31mm，模块的理想之选）
• 提供符合 AEC-Q101 认证的资质报告
支持
