BOARD BFP840FESD
综述
BFP840FESD 是专为 5 GHz LNA 应用设计的异质结双极晶体管。订购评估板时,请参考应用说明 或技术报告。
特征描述
坚固的超低噪声放大器,基于英飞凌可靠的大容量 SiGe:C 技术
- 高端射频性能和鲁棒性的独特组合:最大射频输入功率为 20 dBm,静电放电硬度为 1.5 kV
- 极高的转换频率 fT=85 GHz,可在高频下实现出色的同类噪声性能:
NFmin = 0.75 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 5 mA
- 高增益 |S21|2 = 19 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
- OIP3 = 22.5 dBm@ 5.5 GHz, 1.5 V, 6 mA
- 低电压应用的理想之选,例如,VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V, 3.3 V, 3.6 V 要求对应的集电极电阻)
- 低功耗,是移动应用的理想选择
- 无铅(符合 RoHS)和无卤素纤薄封装,带有可见引线
- 根据 AEC-Q101 提供认证报告
支持