EVAL-2ED2184 带有集成自举二极管的2ED2184S06F 650 V/2.5 A半桥栅极驱动器评估板

综述

EVAL-2ED2184评估板由栅极驱动器IC（2ED2184S06F）和两个MOSFET（IPD60R280P7）组成，采用半桥配置。该评估板适用于测试英飞凌绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器的基本功能和亮点性能。用户可测试PWM输入-输出性能，以及测试传输延迟、电流能力和高开关频率性能。该评估板可进行双脉冲试验。

特征描述

  • 工作电压最高达到+ 650 V
  • 采用英飞凌SOI技术
  • 耐受-100 V的负瞬态电压
  • 集成击穿保护功能
  • 集成低阻自举二极管
  • 专为自举电路供电而设计
  • 25 V最高电源电压
  • 欠压锁定（UVLO）
  • 200 ns传输延迟
  • VS引脚的负瞬态电压高达-11 V DC时保证逻辑功能正常

优势

  • 降低BOM成本，节省空间
  • 电平移位损耗降低50%
  • 卓越的抗扰和抗噪性能
  • 适用于大电流功率器件
  • 专为高开关频率的应用而设计
图表
支持