REF-SIC-D2PAK-BP

综述

采用TO263-7封装的1200 V CoolSiC™ MOSFET的参考板

该参考板是CoolSiC™ MOSFET 1200 V评估平台的驱动板，它含有EiceDRIVER™ 1ED Compact 1EDI20H12AH，支持双极性电源，其中VCC2为+15 V, GND2为负。

CoolSiC™ MOSFET 1200 V评估平台包括EiceDRIVER™栅极驱动IC，用于展示采用TO263-7pin封装的碳化硅CoolSiC™ MOSFET的驱动选项。为展示这些选项，该设计被分为一块主板和两块SMD驱动板。主板EVAL_PS_SIC_DP_MAIN的最大电压为800 V，最大脉冲电流为130 A。

特征描述

  • 1200V CoolSiC™碳化硅（SiC）沟槽 MOSFET IMBG120R030M1H
  • 1EDI20H12AH支持双极性电源
  • 无磁芯隔离栅极驱动器
  • 负关断栅极电压
  • 利用绝缘金属基板（IMS）
  • 所有元件均为表面贴装器件（SMD）

优势

  • 开关损耗极低
  • 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
  • 适用于硬开关的坚固耐用的体二极管
  • 用于优化开关性能的感测引脚
  • 负关断电压，避免寄生导通
图表
支持