REF-SIC-D2PAK-MC
综述
采用TO263-7封装的1200 V CoolSiC™ MOSFET的参考板
这个参考板是CoolSiC™ MOSFET 1200 V评估平台的另一个驱动子板，它包含EiceDRIVER™1EDC Compact 1EDC20I12MH，集成有源米勒箝位功能，防止寄生导通。第一个驱动子板包含EiceDRIVER™ 1ED Compact 1EDI20H12AH，支持双极性供电，其中VCC2为+15 V，GND2为负。
CoolSiC™ MOSFET 1200 V评估平台包括EiceDRIVER™栅极驱动IC，用于展示采用TO263-7封装的碳化硅CoolSiC™ MOSFET的驱动选项。为展示这些选项，该设计被分为一个主板和两个SMD驱动子板。主板EVAL_PS_SIC_DP_MAIN的最大电压为800 V，最大脉冲电流为130 A。
特征描述
- 1200V CoolSiC™碳化硅沟槽MOSFET IMBG120R030M1H
- 1EDC20I12MH具有有源米勒箝位功能
- 无磁芯隔离栅极驱动器
- 0 V关断栅极电压
- 使用绝缘金属基板（IMS）
- 所有元件均为表面贴装器件（SMD）
优势
- 极低的开关损耗
- 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
- 适用于硬开关的坚固耐用的体二极管
- 用于优化开关性能的驱动引脚
- 具有有源米勒箝位功能，无寄生导通
图表
支持
