FM24CL64B-G High-Density 64kBit I²C F-RAM Memory Module | 1MHz, -40 to 85°C, Pure Sn Finish
综述
FM24CL64B-G 是使用了高级铁电工艺的 64 Kbit 非易失性存储器。 铁电随机存取存储器 (即 F-RAM)是一种非易失性存储器,它 跟 RAM 一样,能够执行读和写操作。它提供 121 年的可靠数据 保留时间,同时解决了由 EEPROM 和其他非易失性存储器所造 成的复杂性、开销和系统级可靠性等问题。 与 EEPROM 不同, FM24CL64B-G 以总线速度执行写操作。并不 会产生写延迟。在每个字节成功传输到器件后,数据立即被写入 到存储器阵列。这时,可以开始执行下一个总线周期而不需要轮 询数据。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品提供了更多 的擦写次数。在进行写的过程中, F-RAM 的功耗也远远低于 EEPROM的,因为写操作不需要使用写电路的内部高电源电压。
特征描述
- 64 Kbit 铁电随机存储器 (F-RAM)的逻辑组织为 8 K × 8
- 高耐久性:100 万亿 (1013)的读 / 写次数
- NoDelay™ 写操作
- 高级高可靠性的铁电操作
- 快速 2 线串行接口 (I2C)
- 低功耗
- 符合 AEC Q100 一级标准
- 符合有害物质限制标准 (RoHS)
优势
- 可以直接代替串行(I2C)EEPROM 的硬件
支持