高性能页模式
64 Mb — 2 Gb 3.0 V 高性能页模式
英飞凌的GL Parallel NOR闪存系列拥有英飞凌所有并行系列中最高的性能、可靠性、寿命和可扩展性。最新的 GL-T 和 GL-S 系列提供内置 ECC、汽车认证、扩展温度支持和长期供电。 GL-P、GL-S (64 Mb) 和 GL-T 系列具有 x8 和 x16 数据总线选项。其他 GL-S 设备使用 x16 数据总线。
- MIRRORBIT™ 技术
- 多功能 I/O (VIO)
- > 汽车 AEC-Q100认证
- ×8/×16 总线宽度选项
- 128 KB 统一扇区擦除
- 错误检查和纠正 (ECC)
- 安全硅区 (SSR)
- 高级扇区保护 (ASP)
- 就地执行
长期供货计划
利用英飞凌的长期供货计划延长闪存产品的寿命和支持服务。包括为延长供应寿命而提供的晶粒和晶圆库服务,以及为保证质量而进行的商用现货(COTS)产品认证和筛选。提供广泛的支持,确保问题得到迅速解决。 基于此,自发布之日起计算,产品的平均供货寿命超过 10 年。
通过选择该计划所涵盖的 NOR 闪存产品,可确保关键存储器件的安心和稳健供应链。了解英飞凌为实现最高密度设计而打造的专有 MIRRORBIT™ 技术。
专有 MIRRORBIT™ 技术,可实现高密度设计
英飞凌的专有 MIRRORBIT™ 技术是英飞凌广泛的并行和串行 NOR 闪存产品的基础,也是全球最先进的 NOR 闪存工艺技术。MIRRORBIT™ 每个单元存储两个比特,是高密度设备的最佳选择。
了解如何确保设计的最高质量。
适用于最恶劣环境的汽车认证解决方案
英飞凌的 GL-S 和 GL-T Parallel NOR 闪存产品已通过 AEC-Q100 认证,适用于汽车市场,可承受高达 105°C 的温度,能够在恶劣环境下运行。高密度和高温的并行 NOR 设备适用于 ADAS、底盘、传动系统和信息娱乐系统。英飞凌还为符合 AEC-Q100 标准的产品提供生产件批准流程(PPAP)支持。
高性能、快速的随机访问页模式
英飞凌的 NOR 闪存产品具有页模式,可对一页内的位置进行高速(15 ns 至 30 ns)随机读取访问。由于字存储在内部缓冲区中,因此可以缩短第一个字的初始访问时间之后的访问时间。页模式为频繁访问页的系统提供了更快的速度和更低的功耗。
英飞凌的晶圆和晶粒解决方案为您的设计锦上添花。
高性能、高可靠性的晶粒和晶圆(KGD/KGW)产品
英飞凌为需要存储器的定制系统级封装(SiP)和多芯片封装(MCP)解决方案提供高性能和可靠的已知合格晶粒和晶圆(KGD/KGW)产品。我们通过以下方式提供具有与封装零件相同的性能和可靠性的晶圆和晶粒产品:遵守 EIAJ EDR-4703 的严格标准和要求
对视觉和机械缺陷进行广泛的检查和晶圆级测试,包括额外的高温筛查
长期供货计划和区域支持
基于此,我们抑制了 SiP 制造良率损失、优化了存储器产品的可靠性问题,为客户带来了价值。
进一步了解:存储器和芯片解决方案
久经考验、值得信赖的并行 NOR 闪存产品,具有无与伦比的使用寿命
英飞凌拥有 40+ 年的半导体存储创新经验,产品兼容 JEDEC 标准,并采用浮栅和独家 MIRRORBIT™ 技术,提供了业界最为全面的并行 NOR 闪存产品系列。英飞凌以长期供货计划延长了供应的持续性(长达10年),并成为最值得信赖的并行 NOR 闪存解决方案供应商。
Company |
Parallel NOR |
SPI NOR |
HyperFlash |
Semper |
Semper |
Semper |
|||
S29GL-S |
S29GL-T |
S25FL-S |
S25FS-S |
S25FL-L |
S26KL-S |
S25HL-T |
S28HL-T |
S26HL-T |
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