异步 SRAM
异步 SRAM 提供带片上 ECC 的高速、低功耗扩展存储器，适合汽车和工业应用
异步 SRAM 因其高可靠性和长期支持而被用作汽车和工业应用中的扩展存储器。Micropower 异步 SRAM 用于一系列应用中的电池供电和辅助的解决方案 (BBSRAM) 中的数据记录。英飞凌的异步 SRAM 已获得 QML 国防产品认证，有 TSOP、BGA 和 SOP 封装可供选择。
- 10 ns 的快速访问时间
- 低功耗——PowerSnooze™
- 高可靠性 < 0.1 FIT/Mbit
- 长期支持承诺
- 符合 RoHS 标准
- QML 认证
采用片上ECC的高速、低功耗，适合各种应用
异步 SRAM 是一种易失性随机存取存储器 (RAM)，它使用基于触发器的锁存电路来存储每个位。只要供电，数据位就会保留在存储器中。英飞凌提供业界最广泛的异步 SRAM 产品组合，从 256 KB 到 64 MB 不等。异步 SRAM 因其高可靠性和长期支持而用于网络、国防和工业应用。MOBL™ 异步SRAM也是电池供电和辅助的解决方案（BBSRAM）的理想选择，适用于需要断电时数据备份的一系列应用领域。
英飞凌的异步 SRAM 符合 RoHS 标准，通过了国防产品的 QML 认证，并提供行业标准的 TSOP、BGA、SOP 封装。
密度：256 KB、512 KB、1 MB、2 MB、4 MB、8 MB、16 MB、32 MB 和 64 MB
接口：I2C、SPI、QSPI 和并行接口（x8、x16、x32）
提供业界最广泛的异步 SRAM 存储器产品组合
我们的异步快速SRAM是业界最快的并行异步SRAM解决方案，最快访问时间为10 ns。这些器件的密度范围从 64 Kbit – 32 Mbit，支持1.8 V至5 V的宽电压范围。它们用于交换机和路由器等网络应用。
我们的异步Micropower （MOBL™） SRAM 是具有 PowerSnooze™ 模式的最节能的异步 SRAM 解决方案。这些器件的密度范围为 256 Kbit – 64 Mbit，支持 1.8 V 至 5 V 的宽电压范围。它们用于电池供电和辅助解决方案。
将快速访问时间与独特的超低功耗睡眠模式相结合
英飞凌的异步SRAM存储器通过PowerSnooze™ 功能将快速异步SRAM的访问时间与独特的超低功耗睡眠模式结合到一个芯片中。此功能允许 SRAM 以 10 ns (100 MHz) 的快速速度运行，同时消耗 < 2 µA /Mbit（典型值）的睡眠电流。通过调用此 “深度睡眠” 功能，SRAM 可以快速从高速活动状态过渡到省电睡眠状态。这可以确保您的 MCU 的全部功率得到充分利用，因为 SRAM 不再是实现最佳性能的限制。阅读本应用手册以了解有关该功能的更多信息。
运行可靠、任务关键型应用程序，不会出现系统错误
运行关键任务应用程序的系统需要系统错误为零的存储器。更高的能量和地外辐射，如α粒子、热中子、宇宙射线会翻转多个相邻位，导致多位错误。
我们的异步 SRAM 使用 (38、32) 汉明码 ECC 进行单位错误检测、校正，并在无需用户干预的情况下串联执行所有与 ECC 相关的功能。带有 ECC 的 SRAM 在形状契合功能（form-fit-function ）上与老一代异步 SRAM 兼容。这使您无需投资重新设计PCB即可提高系统可靠性。
利用多比特交错技术提高性能
多位失效是一种辐射引起的失调，当两个或多个翻转的位在物理上相邻或最多间隔一个不失效的位时，就会被识别出来。比特交错距离将映射到同一字寄存器的两个连续位分开。在比特交错存储器中， 可以使用单比特纠错算法来检测和纠正所有错误。这些功能共同显著提高了软错误率 (SER) 性能，从而造就了业界最可靠的SRAM，达到 < 0.1 FIT/Mbit。
确保在停电时安全备份所有数据
电池供电的SRAM（BBSRAM），也称为NVRAM，用于在停电时需要进行任何类型数据备份的应用程序。在这些情况下，我们 CAN 使用传统的SRAM存储器以及备用电池和控制电路来创建快速、非易失性的存储器。英飞凌还为需要更高耐久性和更长保留时间的应用提供FRAM和nvSRAM非易失性存储器。
阅读本应用手册，了解在电池供电应用中使用异步 SRAM 时需要考虑的设计注意事项。
