CY7C1041GN30-10ZSXI 具有工业认证和可靠性能的高密度4 Mbit并行FAST SRAM
综述
CY7C1041GN30-10ZSXI 是一款结构为 256K 字 × 16 位的高性能 CMOS 静 态 RAM，提供高效的数据写入和读取。它利用芯片使能、写使能、字节高使能、字节低使能和输出使能输入，实现精确的内存访问，满足多样化的应用需求。
特征描述
- 高速
- 活动模式和待机模式低电流
- 工作电压范围: 2.2 V 至 3.6 V
- 数据保持电压为 1.0 V
- 支持与 TTL 兼容的输入和输出
- 支持无铅 44-SOJ、 44-TSOP II 和 48 球 VFBGA 封装
支持
