CoolSiC™ 肖特基二极管650V G5和G6

综述

高效率和性价比

英飞凌的CoolSiC™肖特基二极管650V具有很高的性价比，利用先进的碳化硅生产设备、坚实的业绩记录、最高的质量和非常细化的产品组合。

凭借更紧凑的设计和薄晶圆技术，CoolSiC™5代和6代与我们650V CoolMOS器件超结MOSFET系列互补，满足了650 V解决方案的应用要求。与硅二极管相比，CoolSiC™ 肖特基二极管G5和G6具有更好的效率，令人信服。

CoolSiC™肖特基二极管的最新产品系列650 V G6是第5代的继任者，具有更高的系统效率，与英飞凌的600 V和650 V CoolMOS™ 7超级结MOSFET系列形成互补。

该组合为一系列的应用提供了高效的解决方案，如太阳能、服务器和电信SMPS、照明或电机驱动。

CoolSiC™ Schottky diodes 650 V G6 image

CoolSiC™肖特基二极管650 V G6是英飞凌针对SiC肖特基势垒二极管的领先技术，充分利用了SiC相对于硅的所有优势。英飞凌专有的创新焊接工艺与更紧凑的设计、薄晶圆技术和新型肖特基金属系统相结合。其结果是，该系列产品在所有负载条件下的效率都得到了提高，从而获得了同类产品中最好的FOM值（Qc x VF ）。CoolSiC™ G6二极管与英飞凌的600 V和650 V ™英飞凌的600V和650V的CoolMOS7系列互补，满足该电压范围内最严格的应用要求。

主要特点

  • 最低VF ：1.25V
  • 同类最佳FOM值 (Qc x V )F
  • 没有反向恢复电荷
  • 与温度无关的开关行为
  • 高dv/dt的坚固性
  • 优化的热行为

主要好处

  • 在所有负载条件下提高系统效率
  • 增加系统功率密度
  • 减少了冷却要求，提高了系统的可靠性
  • 能够实现极快的开关
  • 与CoolMOS™ 7家族轻松有效的匹配
  • 最佳的性价比

应用

主要特点

  • VBR 在650V时
  • 改进后的FOM值(Qc x V )F
  • 没有反向恢复电荷
  • 软开关反向恢复波形
  • 与温度无关的开关行为
  • 高工作温度 (Tjmax 175°C)
  • 提高浪涌能力

主要好处

  • 与超级结器件完美匹配，如CoolMOS™。
  • 在所有负载条件下都能提高效率
  • 与硅二极管替代品相比，效率更高
  • 减少了EMI
  • 高度稳定的开关性能
  • 减少了冷却要求
  • 符合RoHS标准
  • 非常高的质量和大批量的制造能力

应用

产品
亮点

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