IDL08G65C5
综述
第五代 CoolSiC™ 代表了英飞凌尖端 SiC 肖特基势垒二极管技术。英飞凌专有扩散焊接工艺已在第三代开始使用，现在与全新紧凑型设计和超薄晶圆技术相结合。全新系列产品热特性更佳并且具有更低的品质因数 (Q c x V f)，因此在各种负载条件下都表现出更高的效率。
特征描述
- 650V 条件下 V br
- 改进品质因数 (Q c x V f)
- 无反向恢复电荷
- 软开关反向恢复波形
- 与温度无关的开关行为
- 高工作温度 (T j max 175°C)
- 提高浪涌能力
- 无铅镀层
优势
- 更高的过电压安全裕度，补充 CoolMOS™ 产品
- 提高各种负载条件下的效率
- 与硅二极管替代产品相比，效率更高
- 与更流行的硅二极管反向恢复波形相比，电磁干扰更少
- 高度稳定的开关性能
- 降低冷却要求
- 降低热失控风险
- 符合 RoHS
- 质量极高并且具有大批量生产能力
潜在应用
视频
支持
