IDW30G120C5B
综述
1200 V Silicion Carbide 肖特基二极管, TO-247-3 封装
采用 TO-247-3封装的1200 V, 30 A第五代CoolSiC™ 肖特基二极管 为碳化硅肖特基势垒二极管提供了先进的技术。英飞凌在第二代产品推出时就已引入薄晶圆技术，现在与新的合并 pn 结结合使用，改善了二极管的浪涌能力。由此产生的结果是开发出了一系列产品，以极具吸引力的成本提供了市场领先的效率、更高的系统稳定性。
特征描述
- 业内出色的正向电压(VF)
- 无反向恢复电荷
- Vf 的适度正温度依赖性
- 业内出色的冲击电流能力
- 优异的热性能
优势
- 高系统效率
- 在低开关频率下实现更高的系统效率
- 在高开关频率下实现更高的功率密度
- 提高系统可靠性
- 降低电磁干扰
图表
视频
支持
