IDWD10G120C5

是1200 V、10 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或PFC升压电路中，与Si二极管相比，CoolSiC™ 二极管的效率提高了1%。这使得PFC和直流-直流电路的输出功率显著提高了40%及以上。除了可以忽略不计的开关损耗（碳化硅肖特基的一大特色），第五代CoolSiC™产品还具有同类产品中的最佳正向电压（V_F）、随温度变化最小的V_F以及最高的浪涌电流能力。该系列产品能够以具有吸引力的成本实现市场领先的效率和更高的系统可靠性。