SIDC30D120E6
综述
发射极控制二极管采用英飞凌独有快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术使发射极控制二极管降低软恢复 IGBT 的导通损耗,特别适用于消费和工业应用。发射极控制二极管专门针对英飞凌 IGBT 技术进行优化。
特征描述
- 软, 快速开关
- 低反向恢复电荷
- 低温度系数
潜在应用
支持
发射极控制二极管采用英飞凌独有快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术使发射极控制二极管降低软恢复 IGBT 的导通损耗,特别适用于消费和工业应用。发射极控制二极管专门针对英飞凌 IGBT 技术进行优化。
特征描述
潜在应用