IGI60F2020A1L
综述
CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 半桥 600 V，可提供高密度、高效率解决方案
IGI60F2020A1L 集成了由两个 200 mΩ（典型 RDS(on)）/600 V 增强模式 CoolGaN™ HEMT 构成的半桥功率级，带专用栅极驱动器，采用 8 x 8 mm QFN-28 封装。
因此，该器件非常适合支持高密度 AC-DC 充电器和适配器的设计，利用了 CoolGaN™ 电源开关的卓越开关行为。英飞凌 CoolGaN™ 和相关功率开关提供了非常稳健的栅极结构。当其在“导通”状态下由数毫安的连续栅极电流驱动时，导通电阻 RDS(on) 将始终处于最低值，不受温度和参数变化的影响。
驱动器采用片上无芯变压器技术 (CT)，以实现输入信号到高侧的电平转换。此外，即使在 300 V/ns 以上的极快开关瞬态下，无芯变压器技术 也能保证其稳健性。
特征描述
- 带数字输入、电源输出模块的隔离数字输入
- 可根据应用需求配置开关性能
- 快速、高精度、稳定计时
- 采用热增强型 8x8 mm QFN-28 封装
优势
- 配有 2 个数字 PWM 输入，易于驱动
- 低系统 BOM
- 通过简单 RC 接口实现栅极路径的完全可配置
- 可设置很短的死区时间，以最大限度地提高系统效率
- 小型封装，适用于紧凑型系统设计
潜在应用
支持
