1EDN7126G
综述
EiceDRIVER™ 200 V 高侧 TDI 栅极驱动器 IC，专为 CoolGaN™ SG HEMT 和硅 MOSFET 而优化
EiceDRIVER™ 1EDN7126G 是一款单通道栅极驱动器 IC，旨在驱动英飞凌 CoolGaN™ 肖特基栅极 (SG) HEMT 以及其他 GaN SG HEMT和 Si MOSFET。该款栅极驱动器具备几大关键特性，包括真差分输入 (TDI)、1.5 A 峰值拉电流/灌电流、有源米勒箝位、可调节电荷泵以及自举电压箝位，有助于配合快速开关晶体管打造高性能系统。得益于 TDI 功能，只要共模电压低于 150 V（静态）/200 V（动态），栅极驱动器的输出状态就完全由两个输入之间的电压差控制，与驱动器的参考（接地）电位无关。该设计能有效避免因低边应用接地反弹引起的误触发，同时还可助力 1EDN7126G 运用于高边应用。
特征描述
- 全差分逻辑输入电路，以避免在低侧或高侧操作中出现错误触发
- 高共模输入电压范围 (CMR) 高达 ±200V，适用于高侧操作
- 对共模电压变化率的高抗扰性能（100 V/ns)，可在快速开关瞬态期间稳健操作
- 兼容 3.3 V 或 5 V 逻辑输入
- 1.5 A 拉电流/灌电流能力
- 有源米勒箝位具备 5 A 灌电流能力，可防止感应导通
- 可选负电荷泵按需提供额外的抗感应导通能力
- 有源自举箝位
- 适用于驱动 GaN HEMT 或硅 MOSFET
- 符合 JEDEC 目标应用标准
优势
- 可防止快速开关转换期间出现高边驱动和低边接地反弹
- 采用 1EDN71x6x 系列驱动器，无需外部栅极电阻即可优化开关速度 [在此添加产品系列页面超链接]
- 防止快速开关转换期间出现感应导通
- 通过消除死区时间内自举电容的过度充电现象输出稳定自举电压
潜在应用
质量
支持
