2ED1321S12M 集成自举二极管和过电流保护功能（OCP）的1200 V高压侧/低压侧栅极驱动器IC
综述
EiceDRIVER™ 1200 V高压侧/低压侧栅极驱动器IC，该IC具有典型的2.3 A拉电流和4.6 A灌电流，采用DSO-16（300mil）封装，适用于1200V SiC MOSFET和IGBT功率器件。2ED1321S12M基于我们的SOI技术，针对VS引脚上的负瞬态电压具有出色的坚固性和抗噪声能力。由于该器件没有寄生晶闸管结构，因此其设计在整个工作温度和电压范围内，都非常可靠，可防止寄生闩锁效应。
特征描述
- 独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
- 最大自举电压（VB节点）：+1225 V
- 工作电压（VS节点）：+ 1200 V
- 在700 ns重复脉冲下，对负VS瞬态电压具有100V的抵抗能力
- 峰值输出拉电流/灌电流：2.3 A / 4.6 A
- 集成超快速的过流保护（OCP）功能
- 高达±5%的参考阈值精度：
- 关断时间：小于1 us
- 超快、低电阻集成自举二极管
- 具有死区时间和直通保护功能的集成逻辑电路
- 具有使能、故障和可编程故障清除RFE输入接口
- 在VS引脚上，逻辑工作范围可达–8V
- 每个通道都有独立的欠压锁定（UVLO）
- VCC电源电压：25 V（最大值）
- 独立的逻辑地（VSS）和输出接地（COM）
- 封装宽度达300 mil，确保电气间隙/爬电距离大于5mm
- 2 kV HBM ESD能力
优势
- 1200 V大电流 (2.3 A/4.6 A) ，小尺寸封装中集成了自举二极管，从而降低了BOM成本并缩小了PCB空间，降低了成本，简化了设计。
- 经过优化的栅极驱动器解决方案，带来了设计灵活性，适用于基于1200 V IGBT/SiC的PIM、分立式开关。
- 能够抵御100 V负VS瞬态电压，提高了器件的可靠性/稳定性。
- 降低50%的电平转换损耗，可实现更低的工作温度和更高的可靠性。
- 防止闩锁效应，提高了可靠性。
- 集成了快速准确的过流保护功能，与分立式运算放大器解决方案相比，节省了空间和成本，并保护了开关。
- 欠压锁定功能可在低电源电压下提供保护。
图表
培训
支持
