2ED21091S06F

综述

采用DSO-8封装、集成自举二极管的650 V、0.7 A半桥栅极驱动器

是650 V 半桥 高速功率 MOSFET 和IGBT 栅极驱动器，它具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，采用DSO-8封装。

基于英飞凌SOI技术, 它对VS引脚的负瞬态电压有着出色的耐用性和抗干扰性。该器件没有采用寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下，都不存在寄生闩锁效应。

特征描述

  • 工作电压（VS节点）高达 + 650 V
  • VS负瞬态抗扰 100 V
  • 集成超快、低电阻自举二极管, 减少了物料清单成本
  • 浮动通道，用于自举操作
  • 两个通道均具有独立的欠压锁定（UVLO）
  • 双功能DT/SD输入可关闭两个通道
  • 540 ns内部死区时间，使用外部电阻可编程至2.7 us
  • 740 / 传播延时：200 ns
  • 最大电源电压：25 V
  • VS引脚的逻辑操作高达–11 V
  • 输入负电压容差：–5 V
  • 浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT

优势

  • 集成自举二极管（BSD）- 通过更简单的设计、更低的成本来节省空间、降低物料清单成本和缩小PCB尺寸
  • 电平转换损失减少50%
  • 对VS引脚的负瞬态电压（-100 V）有着出色的耐用性和抗干扰性

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Part No Package Input logic Interlock Deadtime

2ED2106S06F

 DSO - 8 

HIN, LIN

 No None

2ED21064S06J

 DSO - 14 HIN, LIN No

None

2ED2108S06F

 DSO - 8 HIN, /LIN

Yes

Internal 540 ns

2ED21084S06J

 DSO - 14 HIN, /LIN

Yes

Programmable 540 ns  - 5000 ns

2ED2109S06F

DSO - 8

  IN,  /SD  Yes  Internal 540 ns

2ED21094S06J

 DSO - 14 IN,  /SD

Yes

Programmable 540 ns - 5000 ns
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