2ED21824S06J
综述
采用DSO-14封装、集成自举二极管的650 V、2.5 A大电流半桥栅极驱动器 IC
是650 V半桥高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，它采用DSO-14封装，具有典型的2.5 A灌电流和源电流。您亦可选购DSO-8封装版本：2ED2182S06F。
基于英飞凌SOI技术, 对VS引脚的负瞬态电压有着出色的耐用性和抗干扰性。该器件没有采用寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下，都不存在寄生闩锁效应。
特征描述
- 工作电压（VS节点）高达 + 650 V
- VS负瞬态抗扰 100 V
- 集成超快、低电阻自举二极管, 减少了物料清单成本
- 高压和低压引脚分开，以实现最大的爬电距离和电气间隙
- 逻辑接地和电源接地分开
- 浮动通道，用于自举操作
- 集成直通保护，内置死区时间（可编程）
- 最大电源电压：25 V
- 两个通道均具有独立的欠压锁定（UVLO）
- 传播延时：200 ns
- HIN, LIN输入逻辑
- VS引脚的逻辑操作高达–11 V
- 输入负电压容差：–5 V
- 浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT
优势
- 集成自举二极管- 通过更简单的设计、更低的成本来节省空间、降低物料清单成本和缩小PCB尺寸
- 电平转换损失减少50%
- 对VS引脚的负瞬态电压有着出色的耐用性和抗干扰性
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| Part No | Package | Input logic | Interlock | Deadtime |
| 2ED2181S06F | DSO - 8 | HIN, LIN | No | None |
| 2ED21814S06J | DSO - 14 | HIN, LIN | No | None |
| DSO - 8 | HIN, LIN | Yes |
Internal 400 ns |
|
| 2ED2183S06F | DSO - 8 | HIN, /LIN | Yes |
Internal 400 ns |
| 2ED21834S06J | DSO – 14 | HIN, /LIN | Yes |
Programmable 400 ns - 5000 ns |
| 2ED2184S06F | DSO - 8 | IN, /SD | Yes |
Internal 400 ns |
| 2ED21844S06J | DSO – 14 | IN, /SD |
Yes |
Programmable 400 ns - 5000 ns |
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