2ED2183S06F

综述

采用DSO-8封装、集成自举二极管的650 V、2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC

是650 V 半桥大电流高速栅极驱动器，可驱动 MOSFET和IGBT，它采用DSO-8封装，具有典型的2.5 A灌电流和源电流。您亦可选购DSO-14封装版本，获取更大的爬电距离： 2ED21834S06J。

基于英飞凌SOI技术, 它对VS引脚的负瞬态电压有着出色的耐用性和抗干扰性。该器件没有采用寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下，都不存在寄生闩锁效应。

特征描述

  • 工作电压（VS节点）高达 + 650 V
  • VS负瞬态抗扰 100 V
  • 集成超快、低电阻自举二极管, 减少了物料清单成本
  • 浮动通道，用于自举操作
  • 集成直通保护，内置死区时间（400 ns）
  • 最大电源电压：25 V
  • 两个通道均具有独立的欠压锁定（UVLO）
  • 传播延时：200 ns
  • HIN, /LIN 输入逻辑
  • VS引脚的逻辑操作高达–11 V
  • 输入负电压容差：–5 V
  • 浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT

优势

  • 大电流栅极驱动器——适用于大电流功率器件和高频应用
  • 集成自举二极管（BSD）——通过更简单的设计、更低的成本来节省空间、降低物料清单成本和缩小PCB尺寸
  • 电平转换损失减少50%
  • 对VS引脚的负瞬态电压（-100 V）有着出色的耐用性和抗干扰能力

Find our Variations for 2ED2183S06F

Part No Package Input logic Interlock Deadtime
2ED2181S06F DSO - 8  HIN, LIN No

None   
2ED21814S06J DSO - 14 HIN, LIN No

None

2ED2182S06F

  DSO - 8  HIN, LIN  Yes  Internal 400 ns

2ED21824S06J

 DSO - 14 HIN, LIN

Yes

Programmable 400 ns - 5000 ns
2ED21834S06J DSO – 14 HIN, /LIN

Yes

Programmable 400 ns - 5000 ns
2ED2184S06F DSO - 8  IN,  /SD

Yes

Internal 400 ns
2ED21844S06J DSO – 14

IN, /SD

Yes

Programmable 400 ns - 5000 ns
图表
视频
Share
Share
Share
培训
Share
Share
Share
Share
支持