2ED2304S06F

用于 IGBT 和 MOSFET 的650 V SOI半桥驱动器芯片，带集成自举二极管， 具有 0.36A 拉电流和 0.7A 灌电流，采用 DSO-8 封装。

 2ED2304S06F 采用英飞凌薄膜 SOI 技术，具有出众的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器的特色是具有设计用于最小驱动器交叉导通的高脉冲电流缓冲级。浮动沟道可用于驱动高边配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 650V。此外，离线箝位功能提供芯片未供电时通过浮栅条件寄生导通的固有保护。