2EDF8275F
综述
快速稳健的双通道增强隔离型 MOSFET 栅极驱动器，具备精确稳定时序
EiceDRIVER™ 2EDF8275F 是实现大功率开关噪声环境中高边及低边 MOSFET 初级侧控制可靠稳健运行的理想选择。4 A 拉电流/ 8 A 灌电流双通道栅极驱动器功能强大，在驱动 CoolMOS™ 或 OptiMOS™ 等中高压 MOSFET 时可实现快速导通/关断。 两个输出通道均单独隔离，可灵活配置成具备高达 150V/ns CMTI（共模噪声抗扰度）的浮地栅极驱动器。
VDDi 输入电源支持宽电压范围 SLDO 模式，省去了板载 LDO。而在开关速度较慢或驱动小型 MOSFET 时，则适用具备 1A/2A 峰值电流的 EiceDRIVER™ 2EDF8275F，其采用 DSO-16 窄体封装，爬电距离为 4 mm。
特征描述
- 开关快速，时序精准
- 占板面积和系统 BOM 经优化
- 稳健可靠，耐受开关噪声
- 输出通道间隔离
- 输入通道间隔离
优势
- 功率效率和高分辨率 PWM 控制
- 尺寸更小，封装温度更低
- 具备保护功能，安全运行
- 灵活分配任意驱动器通道
- 浮地栅极驱动器和受调节的安全性
潜在应用
系统数值
- 打造系统效率和功率密度更高的设计
- 增强长期竞争力成本优势、集成度和大批量制造能力
- 提升电源开关的安全运行性能，延长终端产品的使用寿命
- 通过接地隔离、接近 MOSFET 的驱动器布局或使用第 4 引脚源极 MOSFET 来降低 EMI
- 满足构建隔离型 AC-DC、DC-DC 半桥拓扑的要求
图表
质量
支持
