6ED2230S12C 集成自举二极管和过流保护功能的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器芯片

综述

EiceDRIVER™ 1200 V三相栅极驱动器采用薄膜上晶圆（Wafer-on-Film），具有0.35 A拉电流和0.65 A灌电流。6ED2230S12C利用我们的1200 V绝缘体上硅（SOI）技术，其独特优势包括低欧姆集成自举二极管（BSD）和业界领先的鲁棒性，可承受负瞬态电压尖峰。它适用于约6 kW的系统。请联系我们的销售办事处购买晶圆样品。

特征描述

  • 1200V薄膜SOI技术
  • 集成超快自举二极管
  • 可承受高达100V的负瞬态电压尖峰
  • 拉电流/灌电流：0.35 A/0.65 A
  • 过流保护（+/- 5%）
  • 集成死区时间保护
  • 直通保护
  • 对VCC和VBS提供独立的UVLO功能
  • 同一引脚兼具Fault和Enable功能
  • 通道具有匹配的传播延迟
  • 输入逻辑兼容3.3V、5V、15V

优势

  • 集成自举二极管，节约了成本
  • 100 V负瞬态电压，提高了可靠性
  • 电平转换损耗降低50%
  • 集成保护功能，节省了成本
  • 欠压锁定保护（UVLO）功能可在低电源电压时提供保护
图表
支持