6ED2230S12C 集成自举二极管和过流保护功能的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器芯片
综述
EiceDRIVER™ 1200 V三相栅极驱动器采用薄膜上晶圆(Wafer-on-Film),具有0.35 A拉电流和0.65 A灌电流。6ED2230S12C利用我们的1200 V绝缘体上硅(SOI)技术,其独特优势包括低欧姆集成自举二极管(BSD)和业界领先的鲁棒性,可承受负瞬态电压尖峰。它适用于约6 kW的系统。请联系我们的销售办事处购买晶圆样品。
特征描述
- 1200V薄膜SOI技术
- 集成超快自举二极管
- 可承受高达100V的负瞬态电压尖峰
- 拉电流/灌电流:0.35 A/0.65 A
- 过流保护(+/- 5%)
- 集成死区时间保护
- 直通保护
- 对VCC和VBS提供独立的UVLO功能
- 同一引脚兼具Fault和Enable功能
- 通道具有匹配的传播延迟
- 输入逻辑兼容3.3V、5V、15V
优势
- 集成自举二极管,节约了成本
- 100 V负瞬态电压,提高了可靠性
- 电平转换损耗降低50%
- 集成保护功能,节省了成本
- 欠压锁定保护(UVLO)功能可在低电源电压时提供保护
图表
支持