Gate Driver ICs for 650 V GaN HEMTs
与CoolGaN™ GIT HEMT完美匹配的EiceDRIVER™栅极驱动IC
宽禁带半导体允许更高的电场强度，因此，与硅替代品相比，高压开关的体积明显更小。因此，基于氮化镓的功率器件可以在不影响效率的情况下以高开关频率运行。英飞凌的CoolGaN™栅极注入晶体管(GIT)技术是基于带有p-GaN栅极的混合漏极HEMT，形成了一个强大的常闭电源开关。为了处理这一概念的特殊性，在为CoolGaN™ GIT HEMT优化的EiceDRIVER™ 1EDx56x3产品系列的定制栅极驱动IC中实现了创新的差分栅极驱动概念。
然而，在许多应用中，当与RC接口耦合时，也可以采用标准的栅极驱动器IC来产生所需的小稳态电流和开启/关闭峰值电流。EiceDRIVER™ 2EDxx259产品系列的双通道驱动器具有死区时间控制（DTC）和击穿保护（STP），以确保使用单个IC在半桥拓扑结构中安全运行。用于半桥拓扑结构的混合栅极驱动配置由EiceDRIVER™ 1EDBx275F和1EDNx550B的两个单通道栅极驱动IC组成，可以优化驱动IC在PCB上的位置，以减少栅极回路的寄生电感。这导致了PCB面积的节省（与双通道栅极驱动IC相比），而且它的物料清单（BOM）也非常有竞争力。
总而言之，EiceDRIVER™系列的单通道和双通道栅极驱动器IC是与英飞凌的CoolGaN™ GIT HEMT相匹配的最佳选择，可以在高性能电源转换应用中实现效率、功率密度和稳健性的最佳组合。
潜在的应用。
- 灌电流和拉电流的快速开关斜率
- 传播延迟短，精度一流
- 扩展的共模瞬态抗扰度（CMTI）稳健性
- 有功能型、基本型和加强型绝缘等级可供选择
- 多种欠压保护（UVLO）选项
- 直通保护（STP）选项
- 死时间控制（DTC）选项
- 快速输出箝制
- 低阻抗输出
- 在极快的瞬态下安全关闭状态
- 低开关损耗
- 低死区损失
- 对开关噪声有很好的抗干扰能力
- 基于硬件的保护，保持在安全操作区
- 避免误开启，即使是第一个脉冲或在突发模式操作后也是如此
- 实现高开关频率下的可靠运行
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A quick look at Infineon’s evaluation board, EVAL_2EDB_HB_GAN. This board saves the user from having to design their own gate driver and power circuit to evaluate gallium nitride transistors. A simple GaN half-bridge with dedicated GaN driver ICs contributes to the design of this board and help deliver an easy setup and use environment for the end user.
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