Home 产品分类 功率器件 栅极驱动 IC IR2111S IR2111S 综述 600 V 半桥栅极驱动器 IC,具有击穿保护 EiceDRIVER™ 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。 特征描述 专为自举操作设计的浮动通道 完全运行时的电压高达 +600 V 容许负瞬态电压高 不受 dV/dt 影响 栅极驱动电源范围:10 至 20V 双通道欠压锁定 具有下拉的 CMOS 施密特触发输入 双通道的匹配传播延迟 内置死区时间 高边输出与输入同相 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 图表 指标参数 文件 订单 设计支持 视频 Share Share Share 合作伙伴 培训 Share Share 硅、碳化硅还是氮化镓?功率器件的正确之选 观看的网络研讨会,了解更多关于硅、碳化硅和氮化镓功率器件在高功率和低功率应用中的技术定位。 Click to see more Share 包装 支持 联系