IR21271

综述

600 V 单个高边栅极驱动器IC，具有过电流保护和故障报告功能

600 V 高边驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。

特征描述

  • 专为自举操作设计的浮动通道
  • 完全运行时的电压高达 600V
  • 容许负瞬态电压，不受 dV/dt 影响
  • 应用 - 特定栅极驱动范围：9 至 20 V (IR21271) 以及 12 至 20 V（IR2127 输出与输入 IR2128 不同相）

潜在应用

图表
视频
培训

如何为IGBT分立器件和模块选择栅极驱动

通过该培训，您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值，如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片，以及如何在实验室中，根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调。

如何选择用于 SiC MOSFET 及 SiC MOSFET 模块的栅极驱动器？

碳化硅 MOSFET 为电力电子领域带来众多机遇。然而，如何通过使用配备合适栅极驱动器的碳化硅 MOSFET 来实现充足的系统效益？本培训将帮助您学习如何计算碳化硅 MOSFET 的栅极电阻参考值，如何依据峰值电流和功率耗散要求来确定合适的栅极驱动 IC，以及如何在实验室环境中根据最坏条件微调栅极电阻值。

硅、碳化硅还是氮化镓？功率器件的正确之选

Infineon on demand webminar Si, SiC or GaN?

观看的网络研讨会，了解更多关于硅、碳化硅和氮化镓功率器件在高功率和低功率应用中的技术定位。

Click to see more

网络研讨会：每一个开关都需要一个驱动器——选择正确的驱动器将取得事半功倍的效果

我们提供诸多电平转换高压栅极驱动器产品组合，采用绝缘体硅片 (SOI) 和结隔离 (JI) 技术。了解英飞凌 SOI 栅极驱动器优势：集成自举二极管，低电平转换损耗，节约空间和成本以及负 VS 稳健性。
支持