Home 产品分类 功率器件 栅极驱动 IC IR21271 IR21271 综述 图表 指标参数 文件 订单 设计支持 视频 合作伙伴 培训 包装 支持 联系 综述 600 V 单个高边栅极驱动器IC,具有过电流保护和故障报告功能 600 V 高边驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流,采用 8 引脚 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。 特征描述 专为自举操作设计的浮动通道 完全运行时的电压高达 600V 容许负瞬态电压,不受 dV/dt 影响 应用 - 特定栅极驱动范围:9 至 20 V (IR21271) 以及 12 至 20 V(IR2127 输出与输入 IR2128 不同相) 潜在应用 电机控制和驱动 机器人技术 电动汽车快速充电 Copy to clipboardShare via E-mailShare via FacebookShare via LinkedinShare via Twitter 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 图表 PrevNext 指标参数 文件 订单 设计支持 视频 Share Copy to clipboardShare via E-mailShare via FacebookShare via LinkedinShare via Twitter Share Copy to clipboardShare via E-mailShare via FacebookShare via LinkedinShare via Twitter Advantages of Infineon SOI Gate Driver Technology Share Copy to clipboardShare via E-mailShare via FacebookShare via LinkedinShare via Twitter 1200 V Silicon-On-Insulators level-shift gate drivers from the market leader. This video demonstrates the advantages of products with Infineon SOI. E.g. Integrated bootstrap diode, Low level-shift losses - saving space and cost. 合作伙伴 培训 如何为IGBT分立器件和模块选择栅极驱动 Share Copy to clipboardShare via E-mailShare via FacebookShare via LinkedinShare via Twitter 通过该培训,您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值,如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片,以及如何在实验室中,根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调。 Share Copy to clipboardShare via E-mailShare via FacebookShare via LinkedinShare via Twitter 硅、碳化硅还是氮化镓?功率器件的正确之选 观看的网络研讨会,了解更多关于硅、碳化硅和氮化镓功率器件在高功率和低功率应用中的技术定位。 Click to see more 网络研讨会:每一个开关都需要一个驱动器——选择正确的驱动器将取得事半功倍的效果 Share Copy to clipboardShare via E-mailShare via FacebookShare via LinkedinShare via Twitter 我们提供诸多电平转换高压栅极驱动器产品组合,采用绝缘体硅片 (SOI) 和结隔离 (JI) 技术。了解英飞凌 SOI 栅极驱动器优势:集成自举二极管,低电平转换损耗,节约空间和成本以及负 VS 稳健性。 包装 支持 联系