IR21271

综述

600 V 单个高边栅极驱动器IC，具有过电流保护和故障报告功能

600 V 高边驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。

特征描述

  • 专为自举操作设计的浮动通道
  • 完全运行时的电压高达 600V
  • 容许负瞬态电压，不受 dV/dt 影响
  • 应用 - 特定栅极驱动范围：9 至 20 V (IR21271) 以及 12 至 20 V（IR2127 输出与输入 IR2128 不同相）

潜在应用

图表
视频

Advantages of Infineon SOI Gate Driver Technology

1200 V Silicon-On-Insulators level-shift gate drivers from the market leader. This video demonstrates the advantages of products with Infineon SOI. E.g. Integrated bootstrap diode, Low level-shift losses - saving space and cost.

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