IR21531
综述
半桥驱动器 LO 与 RT 同相，具有可编程振荡频率，死区时间为 0.6us，采用 8 引脚 DIP 封装，并且具有不同相位
特征描述
- 集成 600V 半桥栅极驱动器
- Vcc 上的 15.6V 齐纳箝位
- 真正的微功耗启动
- 更严格的初始死区时间控制
- 低温系数下的死区时间
- CT 引脚上的关断特性 (1/6th Vcc)
- 增加欠压锁定迟滞 (1V)
- 较低功耗的电平移位电路
- 启动时的恒定 LO、HO 脉冲宽度
- 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
- 高边输出与 RT 同相
- 内部为 50nsec（典型）的自举二极管 (IR21531D)
- 所有输入和输出均具有出色的锁定抗扰度
- 所有引脚上均具有 ESd 保护
- 也有无铅封装可选
潜在应用
- 照明荧光灯镇流器
- 初级侧
自激振荡 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.18 A 拉电流和 0.26 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
特征描述
- 集成 600 V 半桥栅极驱动器
- Vcc 上的 15.6 V 齐纳箝位
- 真正的微功耗启动
- 更严格的初始死区时间控制
- 低温系数下的死区时间
- CT 引脚上的关断特性 (1/6th Vcc)
- 增加欠压锁定迟滞 (1 V)
- 较低功耗的电平移位电路
- 启动时的恒定 LO、HO 脉冲宽度
- 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
- 高边输出与 RT 同相
- 所有输入和输出均具有出色的锁定抗扰度
- 所有引脚上均具有 ESd 保护
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