IR25606S

综述

600 V 半桥栅极驱动器 IC，具有击穿保护

600 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。

特征描述

  • 专为自举操作设计的浮动通道
  • 集成 600 V 半桥栅极驱动器
  • 容许负瞬态电压高
  • 不受 dV/dt 影响
  • 栅极驱动电源范围：10 至 20V
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3 V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
  • 防止交叉传导逻辑
  • 双通道的匹配传播延迟
  • 输出与输入同相
  • 逻辑和电源接地 +/- 5V 偏移
  • 内部死区时间为 540ns
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性

潜在应用

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