IRS2007S
综述
具有VCC和VBS UVLO的200 V半桥栅极驱动器IC，可确保可靠的启动操作
特征描述
- 典型栅极电流I O + / I O-数值分别为290 mA / 600 mA
- 栅极驱动每个通道可提供高达 20 V 的电压
- V CC ，V BS的欠压锁定
- 3.3V、5V 、15V 输入逻辑兼容
- 容许负瞬态电压高
- 设计用于自举电源
- 防止交叉传导逻辑
- 双通道的匹配传播延迟
- 内部死区设置时间
- 高边输出与 HIN 输入同相
- 低边输出与 LIN 输入不同相
- 工作温度-40°C 到 125°C
- 2 kV HBM ESD
- 符合 RoHS
优势
- 封装空间节省，BOM成本降低，PCB尺寸更小，可实现更低的成本和更简单的设计
- 异常运行时提供保护，确保可靠的启动操作
- 易于使用，设计直观
- 改善效能
- 切换快速可靠
多种型号
IRS2007是一款 200 V电平转换结隔离MOSFET 驱动器， 具有相依的高边和低边参考输出通道。专有的HVIC和防闩锁CMOS技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具备专门设计的高脉冲电流缓冲级，旨在尽可能降低驱动器跨导。浮动通道可用于驱动高边配置中的N通道功率MOSFET，其工作电压高达200 V。传播延迟相互匹配，HVIC用于高频应用更简便。
IRS2005S/M: 200 V高边和低边栅极驱动IC，具备680/150 ns传播延迟。替代IRS2001S。
IRS2007S/M: 200 V半桥栅极驱动IC，具备160/150 ns传播延迟。替代IRS2003S。
IRS2008S/M: 200 V半桥栅极驱动IC，具备关断输入引脚，160/150 ns传播延迟。替代IRS2004S。
面向步进电机的评估板现已供货: EVAL-PS-IRS200X
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