IRS2008S

具有关断，VCC和VBS UVLO的200 V半桥栅极驱动器IC，可确保可靠的启动操作

200 V 半桥驱动器 IC，具有关断输入，典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用MOSFET.。可选 MLPQ 4 x 4 14L 封装: IRS2008M.

IRS2008是一款 200 V电平移位结隔离MOSFET 驱动器， 具有相依的高边和低边参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现极小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N通道功率MOSFET，工作电压高达200 V。播延迟与之匹配，简化了HVIC在高频应用中的使用。