IRS2304S
综述
600 V 半桥栅极驱动器 IC，具有击穿保护
用于 IGBT 和 MOSFET 的600 V 半桥栅极驱动器 IC， 具有典型的0.29A 灌入和0.6A 拉出电流， 并采用电平转换技术的8管脚SOIC封装。
特征描述
- 为 bootstrap 操作设计的浮地通道
- 容许负瞬变电压，有一定的dv/dt 抗扰能力
- 栅极驱动电源供应范围 10 至 20 V
- 两个通道均会欠电压锁止
- 防止交叉导通之逻辑
- 3.3 V、5 V，和 15 V 逻辑输入兼容
- 两个通道的传播延迟相匹配
- 输出与输入同相
- 较低的 di/dt 栅极驱动，提高抗噪能力
- 内部死区时间为100 ns
图表
视频
培训
支持
