IRS23364DS

综述

600 V three-phase gate driver IC with over current protection, enable, fault reporting and integrated bootstrap FET

600 V 三相驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 28 引脚 SOICWB 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 44 引脚 PLCC封装可选。

特征描述

  • 最多可驱动 6 个 IGBT/MOSFET 功率器件
  • 栅极驱动电源范围：11.5 V 至 20V(IRS23364)
  • 栅极驱动电源范围：10 V 至 20V(IRS2336)

潜在应用

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