IGP40N65F5
综述
650 V, 40 A IGBT Discrete in TO-247 package
Hard- switching 650 V, 40 A TRENCHSTOP™5 IGBT discrete in TO-247 package for high efficiency demands.
特征描述
- 650V 击穿电压
- 对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列
- Q g系数降低2.5倍
- 开关损耗系数降低2倍
- V CE (sat)减少了200mV
- 低C OES/E OSS
- 温和正温度系数VCE (sat)
- V f 的温度稳定性
优势
- 具有出色的效率,降低结温和外壳温度,从而提高设备可靠性
- 母线电压可提升50V,同时不影响可靠性
- 更高的功率密度设计
图表
视频
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