IGP50N60T

综述

600 V, 50 A IGBT Discrete in TO-220 package

英飞凌 600 V 50 A 单 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用 TO220 封装，结合沟槽栅单元和场终止概念，显著改善器件静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现高效率。

特征描述

  • 极低 VCEsat 压隆，降低传导损耗
  • 低开关损耗
  • VCEsat具备正温度系数，实现轻松并联开关能力
  • 极软、快速恢复防并联发射极控制二极管
  • 高稳健性和温度稳定性
  • 低 EMI 排放
  • 低栅极电荷
  • 参数分布非常紧凑

优势

  • 最高效率 – 低传导和开关损耗
  • 丰富的 600 V 和 1200 V 产品组合，支持灵活设计
  • 器件高可靠性
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