IGQ75N120S7 采用TO247PLUS-3pin 封装的1200 V、75 A IGBT7 S7
综述
硬开关1200 V、75 A TRENCHSTOP™ IGBT7 S7单管器件，采用TO-247封装，提供低饱和压降（VCEsat），可在目标应用中实现超低导通损耗。
特征描述
- 非常低的饱和压降（Vcesat）
- 可控性佳
- 全额定电流续流二极管，特性软
- 对恶劣条件和HV-H3TRB的耐受性
- 短路时间：8 µs
- 参数分布离散性小
- 最高工作结温（Tj）：175 °C
优势
- IGBT损耗较低，系统效率高，输出功率也更高
- 功率密度更高，无需重新设计散热器
- 可轻松快速地替换前代T2产品系列
- 在恶劣的工作条件下，也具有高可靠性
- 易于设计，可满足EMI要求
图表
支持
