IGW50N65F5
综述
英飞凌的新型TRENCHSTOP™5 IGBT 技术在硬开关应用中提供无与伦比的高效性能，重新界定了“业界卓著”IGBT。该新系列是IGBT 创新的一个重大突破，以满足市场未来对高效率的需求。
特征描述
- 650V 击穿电压
- 对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列
- Q g系数降低2.5倍
- 开关损耗系数降低2倍
- V CE (sat)减少了200mV
- 低C OES/E OSS
- 温和正温度系数VCE (sat)
- V f 的温度稳定性
优势
- 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性
- 母线电压可提升50V，同时不影响可靠性
- 更高的功率密度设计
视频
支持
