IGW75N60T
综述
英飞凌采用 TO247 封装的的 600 V，75 A 单个 TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT，结合了沟槽栅和场终止概念，显著改善了器件的静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现最高效率。
特征描述
- 最低 VCEsat 压隆，降低传导损耗
- 低开关损耗
- VCEsat 具备正温度系数，实现轻松并联开关能力
- 高稳健性和温度稳定性
- 低 EMI 排放
- 低栅极电荷
- 参数分布非常紧凑
优势
- 最高效率 – 低传导和开关损耗
- 丰富的 600 V 和 1200 V 产品组合，支持灵活设计
- 器件高可靠性
视频
支持
