IHW15N120R3
综述
1200 V IGBT,采用反并联二极管,TO-247 封装
第 3 代逆导型 1200 V、15 A TRENCHSTOP™ RC-IGBT3,采用单片集成逆导型二极管在 TO-247 中封装,进行优化实现了更低的开关和传导损耗。降低的功耗和软开关行为,可实现更好的热性能和电磁干扰行为,从而降低系统成本。降低成本同时实现优异性能。
特征描述
- 一流的 VCEsat 和 Vf 传导属性
- 开关损耗低,效率高
- Tj(max) = 175°C
- 低电磁干扰的软电流关断波形
优势
- 功耗低
- 更好的热量管理
- 浪涌电流能力可降低电磁干扰滤波要求
- 降低系统成本
- 电流峰值时可实现高可靠性
潜在应用
图表
视频
支持