IHW20N120R5 1200 V、20 A IGBT逆导型单管，集成反向并联二极管，采用TO-247封装
综述
逆导型 R5 1200 V、20 A RC-H5 IGBT集成反向导通二极管，采用TO-247封装，已专门针对电磁炉应用的苛刻要求而实现优化。结合单片集成二极管，1200 V RC-H5 IGBT不仅非常适用于软开关应用，如电磁炉和变频微波炉，而且适用于要求部分硬开关能力的设计。RC-H5 IGBT是对上一代逆导型IGBT的补充，进一步巩固了RC-H产品系列的性能领先地位，专注于提升系统能效和可靠性。
特征描述
- 开关损耗减少幅度高达20％
- 超低通态损耗
- 启动电流峰值降低10％
- Tj(max) = 175°C
- 低 EMI 的软电流关断波形
优势
- 开关频率增加
- 减少功率损耗
- 更好的热管理，可提高可靠性
- 更低的 EMI 滤波要求
- 降低系统成本
- 针对峰值电流的最高可靠性
图表
支持
