IHW50N65R6
综述
650 V、50 A IGBT带有单片集成二极管，采用TO-247封装
逆向导通型R6 650 V、50 A IGBT，采用TO-247封装，带有单片集成二极管，旨在满足使用半桥谐振拓扑的感应加热应用的苛刻要求。
由于具有最佳的系统性能和与现有栅极驱动器解决方案的高度兼容性，650 V R6 IGBT是软开关拓扑的最佳选择。
特征描述
- 非常低的VCEsat和低Eoff
- 高耐用性和稳定的温度特性
- 由于VCEsat的正温度系数，因此具有轻松的并联开关能力
- 频率范围20-75 kHz
- 低电磁干扰
- 非常严格的参数分布
- 工作温度Tj最大值为175°C
优势
- IGBT损耗最低，系统效率高，输出功率更高
- 快速方便地替换前一代R%产品系列
- 设备可靠性高
- 良好的抗电磁干扰性能
图表
培训
RC-H6 650 V Reverse Conducting IGBT
This training introduces RC-H6 650 V Reverse Conducting IGBT technology for half-bridge induction cooking.
支持
