IKA10N60T
综述
600 V、10 A IGBT单管，带反向并联二极管，采用TO220 Full-Pak封装
硬开关600 V、10 A
TRENCHSTOP™ IGBT3与全电流外部续流二极管组合封装在TO220 Full-Pak 封装中，由于采用沟槽栅场终止技术，从而大幅提升器件的静态性能和动态性能。IGBT与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低了开通损耗。开关损耗与导通损耗之间的最佳折衷，带来了最高能效。
特征描述
- 极低VCEsat 1.5 V（典型值）
- 低开关损耗
- VCEsat温度系数为正，支持轻松并联开关
- 极软的快速恢复反向并联发射极控制二极管
- 十分坚固耐用，不受温度影响，特性稳定
- 低EMI干扰
- 低栅极电荷
- 参数分布范围很小
优势
- 最高能效 – 低导通损耗和开关损耗
- 全面的600 V和1200 V产品系列，支持灵活设计
- 高器件可靠性
图表
视频
支持
