IKB40N65EF5

综述

650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO263 package

英飞凌 650 V 40 A 高速开关 TRENCHSTOP™ 5，与全额定电流 Rapid 1 快速极软防并联二极管联合封装到 D2Pak (TO263) 封装，为硬开关应用提供极高效率，重新定义“同类最佳”IGBT。该新系列是 IGBT 创新的一个重大突破，以满足市场未来对高效率的需求。

特征描述

  • 650 V 击穿电压
  • 对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列
  • Qg 系数低 2.5 倍
  • 开关损耗系数降低 2 倍
  • VCEsat 降低 200 mV
  • 采用英飞凌极速硅二极管技术
  • COES/EOSS 低
  • 温和正温度系数 VCEsat
  • Vf 温度稳定

优势

  • 同类最佳效率，降低结温和外壳温度，器件可靠性更高
  • 母线电压可提升 50 V，同时不影响可靠性
  • 更高的功率密度设计
图表
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